PECVD工藝原理及操作課堂PPT

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1、1PECVD工藝原理及操作毛振樂2010.3.202目錄基本原理工藝流程設備結構基本操作異常處理3基本原理PECVDPECVD：Plasma Enhanced Chemical Vapour DepositionPlasma Enhanced Chemical Vapour Deposition 等離子等離子 增強增強 化學化學 氣相氣相 沉積沉積等離子體：氣體在一定條件下受到高能激發，發生電離，部等離子體：氣體在一定條件下受到高能激發，發生電離，部分外層電子脫離原子核，形成電子、正離子和中性粒子混合分外層電子脫離原子核，形成電子、正離子和中性粒子混合物組成的一種形態，這種形態就稱為等離子態即

2、第四態。物組成的一種形態，這種形態就稱為等離子態即第四態。4 直流濺射直流濺射 射頻濺射射頻濺射 磁控濺射磁控濺射 離子束濺射離子束濺射 真空真空蒸發蒸發濺射濺射沉積沉積離子鍍離子鍍 物理氣相沉積物理氣相沉積 （PVDPVD）電阻加熱電阻加熱 感應加熱感應加熱 電子束加熱電子束加熱 激光加熱激光加熱 直流二極型離子鍍直流二極型離子鍍 射頻放電離子鍍射頻放電離子鍍 等離子體離子鍍等離子體離子鍍 基本原理5工作原理工作原理 3SiH4+4NH3 Si3N4+12H2 利用低溫等離子體作能量源，利用一定方式使硅片升溫到利用低溫等離子體作能量源，利用一定方式使硅片升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣

3、體，氣體經一系列化學反預定的溫度，然后通入適量的反應氣體，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在硅片表面形成固態薄膜。應和等離子體反應，在硅片表面形成固態薄膜。PECVDPECVD方法方法區別于其它區別于其它CVDCVD方法的特點在于等離子體中含有大量高能量的方法的特點在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學氣相沉積過程所需的激活能。電子與電子，它們可以提供化學氣相沉積過程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發和電離氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發和電離過程，生成活性很高的各種化學基團，因而顯著降低過程，生成活性很高的各種化學基團，因而

4、顯著降低CVDCVD薄膜薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進行的沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進行的CVDCVD過程過程得以在低溫下實現。得以在低溫下實現?；驹? 其它方法的沉積溫度：其它方法的沉積溫度：APCVD APCVD 常壓常壓CVDCVD，700-1000700-1000 LPCVD LPCVD 低壓低壓CVDCVD，750750，0.1mbar0.1mbar PECVD 300-450 PECVD 300-450，0.1mbar0.1mbar PECVDPECVD的一個基本特征是實現了薄膜沉積工藝的低溫化的一個基本特征是實現了薄膜沉積工藝的低溫化（45045

5、0）。因此帶來的好處：）。因此帶來的好處：l 節省能源，降低成本節省能源，降低成本l 提高產能提高產能l 減少了高溫導致的硅片中少子壽命衰減減少了高溫導致的硅片中少子壽命衰減 其他優點：其他優點：l 沉積速率快沉積速率快l 成膜質量好成膜質量好 缺點：缺點：l 設備投資大、成本高，對氣體的純度要求高設備投資大、成本高，對氣體的純度要求高l 鍍膜過程中產生的劇烈噪音、輻射、粉塵等對人體有害鍍膜過程中產生的劇烈噪音、輻射、粉塵等對人體有害基本原理7PECVD種類:基本原理間接式基片不接觸激發電極（如2.45GHz微波激發等離子）8基本原理PECVD種類:直接式基片位于電極上，直接接觸等離子體（低頻

6、放電10-500kHz或高頻13.56MHz）9PECVD直接法直接法間接法間接法管式PECVD系統板式PECVD系統微波法直流法Centrotherm、四十八所、七星華創日本島津Roth&RauOTB基本原理10PECVD PECVD 的作用的作用l在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射。的光的透射，減少反射。l氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用?；驹?1王松 工作原理工作原理_板板P P SiNA SiNA 系統采用的是一種間接微波等離子體增強化學氣系統采用

7、的是一種間接微波等離子體增強化學氣相沉積的方法沉積硅太陽能電池的氮化硅（相沉積的方法沉積硅太陽能電池的氮化硅（SiNSiN）減反射）減反射膜。它具有非常好的薄膜均勻性，而且具有大規模生產的膜。它具有非常好的薄膜均勻性，而且具有大規模生產的能力。在能力。在PECVDPECVD工序中，等離子體中的工序中，等離子體中的H H（氫）對硅表面（氫）對硅表面的鈍化和在燒結工序中的鈍化和在燒結工序中SiNSiN中的氫原子向硅內擴散，使中的氫原子向硅內擴散，使H H（氫）鈍化了硅表面和體內的晶界，懸掛鍵等缺陷，使它（氫）鈍化了硅表面和體內的晶界，懸掛鍵等缺陷，使它們不再起復合中心的作用，減少了少數載流子的復合

8、，提們不再起復合中心的作用，減少了少數載流子的復合，提高了少數載流子的壽命，從而改善了硅片質量，提高了太高了少數載流子的壽命，從而改善了硅片質量，提高了太陽能電池的效率。陽能電池的效率?；驹?2工作原理工作原理_管管P P Centrotherm PECVD Centrotherm PECVD 系統是一組利用平行板鍍膜舟和低頻系統是一組利用平行板鍍膜舟和低頻等離子激發器的系列發生器。在低壓和升溫的情況下，等離子等離子激發器的系列發生器。在低壓和升溫的情況下，等離子發生器直接在裝在鍍膜板中間的介質中間發生反應。所用的活發生器直接在裝在鍍膜板中間的介質中間發生反應。所用的活性氣體為硅烷性氣體為

9、硅烷SiHSiH4 4和氨氣和氨氣NHNH3 3?？梢愿淖児柰閷Π钡谋嚷?，來?？梢愿淖児柰閷Π钡谋嚷?，來得到不同的折射率。在沉積工藝中，伴有大量的氫原子和氫離得到不同的折射率。在沉積工藝中，伴有大量的氫原子和氫離子的產生，使得硅片的氫鈍化性十分良好。子的產生，使得硅片的氫鈍化性十分良好?；驹?31.processing started 1.processing started 工藝開始工藝開始2.fill tube with N2.fill tube with N2 2 充氮充氮3.loading boat(paddle in upper position)3.loading boat(p

10、addle in upper position)進舟（槳在高位）進舟（槳在高位）4.paddle moves downwards 4.paddle moves downwards 槳降至低位槳降至低位5.move out (paddle in lower position)5.move out (paddle in lower position)槳在低位移出管外槳在低位移出管外鍍膜工藝流程14鍍膜工藝流程6.evacuate tube and pressure test 6.evacuate tube and pressure test 管內抽真空并作壓力測試管內抽真空并作壓力測試7.plas

11、ma preclean and check with NH7.plasma preclean and check with NH3 3 通過高頻電源用氨氣預清理和檢查通過高頻電源用氨氣預清理和檢查8.purge cycle 1 8.purge cycle 1 清洗管路清洗管路1 19.leak test 9.leak test 測漏測漏10.wait until all zones are on min temperature 10.wait until all zones are on min temperature 恒溫恒溫15鍍膜工藝流程11.ammonia plasma preclea

12、n 11.ammonia plasma preclean 通過高頻電源用氨氣清理通過高頻電源用氨氣清理12.deposition 12.deposition 鍍膜鍍膜13.end of deposition 13.end of deposition 結束鍍膜結束鍍膜14.evacuate tube and pressure test 14.evacuate tube and pressure test 抽真空及測試壓力抽真空及測試壓力15.purge cycle 1 15.purge cycle 1 清洗管路清洗管路1 116鍍膜工藝流程16.fill tube with N16.fill t

13、ube with N2 2 充氮充氮17.move in paddle lower position 17.move in paddle lower position 槳在低位進入管內槳在低位進入管內18.SLS moving to upper position 18.SLS moving to upper position SLS SLS移到高位移到高位19.unloading boat 19.unloading boat 退舟退舟20.end of process 20.end of process 結束工藝結束工藝17 管式PECVD系統板式PECVD系統設備結構18王松設備結構設備結構

14、_板P19王松設備結構設備結構_板P20王松設備結構設備結構_板P21壓力壓力壓力傳送帶速度上載預熱反應冷卻下載傳送帶1設備結構設備結構_板P22設備結構設備結構_板P溫度壓力冷卻水工藝名稱運行狀態時間日期賬號23設備結構_管P設備結構24 設備結構設備結構 裝載區裝載區爐體爐體特氣柜特氣柜真空系統真空系統控制系統控制系統設備結構25設備結構：l裝載區：裝載區：槳、槳、LIFTLIFT、抽風系統、抽風系統、SLSSLS系統。系統。槳：槳：由碳化硅材料制成，具有耐高溫、防由碳化硅材料制成，具有耐高溫、防 變形等性能。作用是將石墨舟放入或變形等性能。作用是將石墨舟放入或 取出石英管。取出石英管。L

15、IFT LIFT：機械臂系統，使舟在機械臂作用下在機械臂系統，使舟在機械臂作用下在 小車、槳、儲存區之間互相移動。小車、槳、儲存區之間互相移動。抽風系統抽風系統 :位于晶片裝載區上方，初步的冷卻石位于晶片裝載區上方，初步的冷卻石 墨舟和一定程度的過濾殘余氣體墨舟和一定程度的過濾殘余氣體 SLS SLS系統：系統：軟著陸系統，控制槳的上下，移動范軟著陸系統，控制槳的上下，移動范 圍在圍在2323厘米厘米設備結構26l爐體：爐管、加熱系統、冷卻系統爐體：爐管、加熱系統、冷卻系統爐管：爐管：爐體內有四根爐管爐體內有四根爐管,由石英制作，是鍍膜由石英制作，是鍍膜 的作業區域，耐高溫、防反應。的作業區域

16、，耐高溫、防反應。加熱系統：加熱系統：位于石英管外，有五個溫區。位于石英管外，有五個溫區。設備結構27加熱系統：設備結構CMS模塊 3 電源連接外罩熱電偶 4 溫度測量模塊28l冷卻系統：設備結構29l特氣柜：特氣柜：MFC MFC 氣動閥氣動閥 MFCMFC：氣體流量計（：氣體流量計（NHNH3 3、SiHSiH4 4 、O O2 2 、N N2 2）氣動閥：之所以不用電磁閥是因為電磁閥在工作時容易氣動閥：之所以不用電磁閥是因為電磁閥在工作時容易 1 1 產生火花，而氣動閥可以最大程度的避免火花產生火花，而氣動閥可以最大程度的避免火花。設備結構30l真空系統真空系統 真空泵真空泵 蝶閥蝶閥真

17、空泵：每一根石英管配置一組泵，包真空泵：每一根石英管配置一組泵，包 括主泵和輔助泵。括主泵和輔助泵。蝶閥：蝶閥：可以根據要求控制閥門的開關可以根據要求控制閥門的開關 的大小，來調節管內氣壓的的大小，來調節管內氣壓的 高低高低設備結構31l控制系統控制系統 CMICMI：是：是 Centrotherm Centrotherm 研發的一個控制系統，其中界面包括研發的一個控制系統，其中界面包括 Jobs Jobs、System System、Datalog Datalog 、Setup Setup 、Alarms Alarms、Help.Help.Jobs:Jobs:機器的工作狀態。機器的工作狀態。

18、System:System:四根爐管的工作狀態，舟的狀態以及手動操四根爐管的工作狀態，舟的狀態以及手動操 作機器臂的內容。作機器臂的內容。Datalog:Datalog:機器運行的每一步。機器運行的每一步。設備結構32Setup:Setup:舟的資料的更改，工藝內容的更改，使用權限的更舟的資料的更改，工藝內容的更改，使用權限的更 改，改，LIFTLIFT位置的更改，位置的更改，CMSCMS安全系統（安裝的感應器安全系統（安裝的感應器 將監控重要系統的運行情況，而一旦不受計算機將監控重要系統的運行情況，而一旦不受計算機 的控制，的控制，CMSCMS將會發生作用，所有的錯誤信息也都會將會發生作用，

19、所有的錯誤信息也都會 在在CMICMI上以簡潔的文本方式顯示出來）的更改等。上以簡潔的文本方式顯示出來）的更改等。AlarmsAlarms：警報內容：警報內容 Help:Help:簡要的說明解除警報以及其他方面的方法簡要的說明解除警報以及其他方面的方法 CESARCESAR：控制電腦，每一個系統都安裝了：控制電腦，每一個系統都安裝了CESARCESAR控制電腦及控制電腦及 CESAR CESAR 控制軟件控制軟件設備結構33基本操作_板P1 1、準備工作：雙手配帶、準備工作：雙手配帶,PVC,PVC手套，佩戴活性炭口罩。手套，佩戴活性炭口罩。2 2、領片、領片:從烘干機中小心取一組硅片，將硅片

20、籃傾斜從烘干機中小心取一組硅片，將硅片籃傾斜4545度，仔細檢查硅度，仔細檢查硅片是否有損壞現象，是否仍有有水珠存在。將檢查好的硅片整齊的放于片是否有損壞現象，是否仍有有水珠存在。將檢查好的硅片整齊的放于小推車上，并核查流程單記錄籃號是否與實際相符，將核查好的流程單小推車上，并核查流程單記錄籃號是否與實際相符，將核查好的流程單放于小車旁邊的工具盒里面。放于小車旁邊的工具盒里面。注意事項注意事項：從烘干機領片時，確保硅片表面：從烘干機領片時，確保硅片表面沒有水珠沒有水珠后，再進行裝片。后，再進行裝片。帶實驗單的流程單一定要看清楚帶實驗單的流程單一定要看清楚實驗要求實驗要求。34基本操作_板P3

21、3、裝片：查看吸筆（吸球）是否完好，吸頭是否干凈，吸筆氣的大小是、裝片：查看吸筆（吸球）是否完好，吸頭是否干凈，吸筆氣的大小是否適中否適中,能否正常使用能否正常使用 ,卸片處要將印刷上載籃放于卸片臺上卸片處要將印刷上載籃放于卸片臺上.籃向正面傾斜籃向正面傾斜（有籃號一側）。右手（有籃號一側）。右手(或左手或左手)拿起吸筆使吸頭輕放于硅片表面，用吸筆拿起吸筆使吸頭輕放于硅片表面，用吸筆自然吸住硅片表面中間的邊緣部分，平行從籃中取出，對準石墨框平行下自然吸住硅片表面中間的邊緣部分，平行從籃中取出，對準石墨框平行下移硅片，直到將硅片放到低于石墨框下沿時中指按下吸筆按鈕將硅片平行移硅片，直到將硅片放到

22、低于石墨框下沿時中指按下吸筆按鈕將硅片平行放在石墨框鉤子上，重復進行上述操作直至裝滿放在石墨框鉤子上，重復進行上述操作直至裝滿,兩組片間要有交接片。兩組片間要有交接片。注意事項注意事項：要保持放片時的聲音最小，減小對硅片的碰撞而產生的損傷。：要保持放片時的聲音最小，減小對硅片的碰撞而產生的損傷。35基本操作_板P4 4、檢查：裝滿一框后左手輕輕拍打石墨框（以檢查石墨框內硅片是否裝、檢查：裝滿一框后左手輕輕拍打石墨框（以檢查石墨框內硅片是否裝好），觀察框內硅片是否自由活動。確認后按下裝載按鈕，輕推石墨框進入好），觀察框內硅片是否自由活動。確認后按下裝載按鈕，輕推石墨框進入設備。設備。5 5、卸片

23、、卸片:左手拿吸筆輕放于硅片上，把硅片豎立從石墨框中吸出，轉動吸筆左手拿吸筆輕放于硅片上，把硅片豎立從石墨框中吸出，轉動吸筆使硅片正面向內接近石墨框并與之成使硅片正面向內接近石墨框并與之成4545度角。同時吸盤接近吸住吸筆放開，度角。同時吸盤接近吸住吸筆放開，吸盤與硅片上邊成吸盤與硅片上邊成4545度，抬起吸盤，讓硅片兩邊對準黑籃兩邊齒縫平行裝入度，抬起吸盤，讓硅片兩邊對準黑籃兩邊齒縫平行裝入其中，注意一定要裝到底，才能松開吸盤。其中，注意一定要裝到底，才能松開吸盤。注意事項注意事項：一定要時刻關注鍍膜片的顏色是否正常，如有異常，及時反饋給：一定要時刻關注鍍膜片的顏色是否正常，如有異常，及時反

24、饋給工藝；卸片過程中切忌用手觸摸鍍膜面。工藝；卸片過程中切忌用手觸摸鍍膜面。36基本操作_板P6 6、測量：選取每組隨機一個石墨框的第三列，按順序送至質檢處測量反、測量：選取每組隨機一個石墨框的第三列，按順序送至質檢處測量反射率、最低波長以及膜厚、折射率；射率、最低波長以及膜厚、折射率；7 7、送片：裝滿一組后，在流程單上記清籃號，測反射率，填寫匯總表后，、送片：裝滿一組后，在流程單上記清籃號，測反射率，填寫匯總表后，雙手提籃，送至印刷車間。雙手提籃，送至印刷車間。注意事項注意事項：1 1、操作過程中，嚴禁用手接觸硅片；、操作過程中，嚴禁用手接觸硅片；2 2、一定要時刻關注鍍膜面的顏色是否正常

25、，如有異常，及時反饋給工藝；、一定要時刻關注鍍膜面的顏色是否正常，如有異常，及時反饋給工藝；3 3、嚴禁用手直接接觸石墨框。、嚴禁用手直接接觸石墨框。37基本操作_管P1 1、準備、領片：嚴格佩戴勞保用品，戴好活性炭口罩和、準備、領片：嚴格佩戴勞保用品，戴好活性炭口罩和PVCPVC手套；檢查手套；檢查真空吸盤是否完好，能否正常使用；檢查每個石墨舟是否有損壞，能否正真空吸盤是否完好，能否正常使用；檢查每個石墨舟是否有損壞，能否正常使用；把裝有清洗干凈硅片的硅片籃放在指定的載物桌上常使用；把裝有清洗干凈硅片的硅片籃放在指定的載物桌上2 2、裝片：把經檢查后可以正常使用的石墨舟放在小推車上，然后用力

26、壓、裝片：把經檢查后可以正常使用的石墨舟放在小推車上，然后用力壓小推車上的機械臂，使石墨舟與水平面成小推車上的機械臂，使石墨舟與水平面成4545角。右手拿真空吸盤（反之角。右手拿真空吸盤（反之亦可），將硅片從硅片籃中取出，按順序將硅片裝于石墨舟中，將石墨舟亦可），將硅片從硅片籃中取出，按順序將硅片裝于石墨舟中，將石墨舟的一面全部裝好之后，將小推車的載物平臺旋轉的一面全部裝好之后，將小推車的載物平臺旋轉180180，然后重復上述取，然后重復上述取片裝片操作，將石墨舟的另一面裝好硅片；待石墨舟裝完硅片后，將石墨片裝片操作，將石墨舟的另一面裝好硅片；待石墨舟裝完硅片后，將石墨舟放平，仔細檢查是否有遺

27、漏，在檢查無漏裝、重片之后，裝片完畢。舟放平，仔細檢查是否有遺漏，在檢查無漏裝、重片之后，裝片完畢。注意事項注意事項：嚴禁用手直接接觸石墨舟。：嚴禁用手直接接觸石墨舟。38基本操作_管P3 3、裝片：右手拿真空吸盤（反之亦可），將硅片從硅片籃中取出，按順序、裝片：右手拿真空吸盤（反之亦可），將硅片從硅片籃中取出，按順序將硅片裝于石墨舟中，將石墨舟的一面全部裝好之后，將小推車的載物平臺將硅片裝于石墨舟中，將石墨舟的一面全部裝好之后，將小推車的載物平臺旋轉旋轉180180，然后重復上述取片裝片操作，將石墨舟的另一面裝好硅片；待，然后重復上述取片裝片操作，將石墨舟的另一面裝好硅片；待石墨舟裝完硅片后

28、，將石墨舟放平，仔細檢查是否有遺漏，在檢查無漏裝、石墨舟裝完硅片后，將石墨舟放平，仔細檢查是否有遺漏，在檢查無漏裝、重片之后，裝片完畢。重片之后，裝片完畢。注意事項注意事項：裝片時硅片要：裝片時硅片要靠緊三個鉤點靠緊三個鉤點；裝片完畢后，要仔細檢查石墨舟每；裝片完畢后，要仔細檢查石墨舟每一邊的硅片傾斜度是否一致，一邊的硅片傾斜度是否一致，以防掉片以防掉片造成鍍膜失敗片。造成鍍膜失敗片。39基本操作_管P4 4、進舟：檢查石墨舟在小推車上放置的方向和小推車載舟平臺的方向，正確、進舟：檢查石墨舟在小推車上放置的方向和小推車載舟平臺的方向，正確放置方法為石墨舟有兩小孔的一端在小推車的左端，小推車載舟

29、平臺上有黑色放置方法為石墨舟有兩小孔的一端在小推車的左端，小推車載舟平臺上有黑色或紅色標記的一端朝向顯示器所在方向，。檢查完畢，將小推車推入管式或紅色標記的一端朝向顯示器所在方向，。檢查完畢，將小推車推入管式PECVDPECVD設備中，當聽到有設備中，當聽到有“噗噗”的聲響后，表示小推車已經進入設備，此時設的聲響后，表示小推車已經進入設備，此時設備顯示屏上會出現的界面。備顯示屏上會出現的界面。5 5、運行工藝：在輸入界面中，在、運行工藝：在輸入界面中，在”lot 1”lot 1”中輸入操作員的名字，中輸入操作員的名字，”lot 2”lot 2”忽略忽略不填寫，在不填寫，在”Boat”Boat”

30、欄中輸入石墨舟的編號，在欄中輸入石墨舟的編號，在”Recipe”Recipe”欄中選擇當前運行欄中選擇當前運行的工藝，的工藝，”Tube”Tube”欄中選擇石墨舟所要進入的爐管，上述操作均點擊回車鍵進欄中選擇石墨舟所要進入的爐管，上述操作均點擊回車鍵進入下步操作，填寫完畢后，點擊入下步操作，填寫完畢后，點擊”OK”OK”，最后點擊，最后點擊”Run”Run”，設備即可在自動，設備即可在自動模式下運行。模式下運行。注意事項注意事項：認真檢查：認真檢查電極口的方向電極口的方向，以免進錯舟；，以免進錯舟；40基本操作_管P6 6、退舟：待鍍好膜的石墨舟出來后，在自動運行模式下，當聽見有連、退舟：待鍍

31、好膜的石墨舟出來后，在自動運行模式下，當聽見有連續的提示聲音響起的時候，且續的提示聲音響起的時候，且”Unlock Trolly”Unlock Trolly”按鈕變亮時，用力按住按鈕變亮時，用力按住此按鈕，待小推車退出后松開手即可。此按鈕，待小推車退出后松開手即可。7 7、卸舟：用真空吸盤把鍍好膜的硅片從石墨舟中取出，放在鋪有纖維、卸舟：用真空吸盤把鍍好膜的硅片從石墨舟中取出，放在鋪有纖維紙的托盤上；正確填寫流程單，將鍍好氮化硅膜的硅片送往印刷，庫紙的托盤上；正確填寫流程單，將鍍好氮化硅膜的硅片送往印刷，庫存硅片放入存硅片放入N2N2柜放好。柜放好。注意事項注意事項：1 1、操作過程中，嚴禁用手接觸硅片；、操作過程中，嚴禁用手接觸硅片；2 2、一定要時刻關注鍍膜面的顏色是否正常，如有異常，及時反饋給工藝；、一定要時刻關注鍍膜面的顏色是否正常，如有異常，及時反饋給工藝；3 3、嚴禁用手直接接觸石墨舟。、嚴禁用手直接接觸石墨舟。41白圈小白點色差失敗片鍍膜異常片42鍍鍍膜膜異異常常色差色差失敗片失敗片水印水印花斑花斑臟片臟片管管P整舟色差整舟色差（偏?。ㄆ。┢渌钇渌钇琑ework工藝重工藝重鍍鍍走失敗片處理走失敗片處理流程流程質檢判斷外觀質檢判斷外觀是否可以下傳是否可以下傳下傳下傳是是否否鍍膜異常片43